台積電宣布 7nm+ 製程工藝大量鋪貨:基於 EUV 光刻設計

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台積電宣布,N7+ 7nm+工藝已經大批量供應給客戶,這是該公司乃至全產業首個商用EUV極紫外光刻技術的工藝。

EUV光刻採用波長為10-14nm的極紫外光作為光源,可使曝光波長直接降到13.5nm,研發,推動更先進工藝。

EUV光刻技術早在20世紀80年代就已經研發出來,最初計劃用於70nm工藝,但光刻機指標一直達不到需求,加之成本居高不下,晶片廠商不得不引入沉浸式光刻、雙重乃至多重曝光來開發新工藝。

按照台積電的說法,他們的EUV光刻機已經可以在日常生產中穩定輸出超過250W的功率,完全可以滿足現在以及未來新工藝的需求。

三星7nm工藝也在引入EUV,不過進展相比台積電要落後很多。

台積電表示,7nm+的量產速度也是公司史上最快的之一,今年第二季度就已量產,並且在良品率上迅速達到了已經量產1年多的7nm工藝的水平。

7nm+相比於7nm在性能上可帶來15-20%的電晶體密度提升,同時改進了功耗。

台積電7nm+工藝已經應用於多家客戶的產品,但官方沒有給出具體名單,目前唯一可完全確認的就是華為麒麟990 5G,AMD下一代Zen 3架構也一直標註為7nm+工藝。

接下來,台積電將繼續奔向6nm、5nm、3nm、2nm,其中6nm(N6)相當於7nm的升級版,設計規則完全兼容,繼續採用EUV技術,電晶體密度可比7nm提升18%,預計明年第一季度試產,明年底量產。

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